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華瀾微亮相2020全球閃存峰會(huì )
2020年7月30日 剛剛過(guò)去的2020年6月，美國權威科技媒體CIO Review評選了在HPC(High Performance Computing高性能計算)領(lǐng)域最富有潛力的20大企業(yè)，兩家中國企業(yè)入列,它們是“華瀾微電子”(SageMicro)和瀾起科技（Montage）。 本次峰會(huì )特別邀請了華瀾微董事長(cháng)、杭州電子科技大學(xué)微電子研究中心主任駱建軍教授就存儲控制器發(fā)展趨勢發(fā)表《固態(tài)硬盤(pán)控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)析》的主題演講。
固態(tài)存儲控制器的發(fā)展挑戰上，遇到的問(wèn)題包括： 1. 數據量的爆發(fā)式增長(cháng)用戶(hù)在有限體積下的更大容量存儲的需求； 2. 高性能計算和人工智能（AI）等應用對數據讀寫(xiě)速度的需求； 3. 對存儲系統可靠性要求不斷提高，但閃存技術(shù)不斷發(fā)展帶來(lái)的可靠性降低，是閃存控制器技術(shù)發(fā)展的矛盾和挑戰； 4. 數據高安全性防護，要求存儲控制器提供片上集成的高效加/解密功能，成為剛需。 針對這些市場(chǎng)需求和技術(shù)演進(jìn)，駱總分別做了全面的詮釋?zhuān)?/p> 一是在底層架構方面，華瀾微很早就擁有了異構多核SoC架構的存儲控制器的中國與美國相應專(zhuān)利，該架構通過(guò)多核間的進(jìn)程協(xié)調、總線(xiàn)競爭、多任務(wù)和分布式管理技術(shù)，解決了存儲傳輸速度、緩存、全局映射、閃存通道速度的高效平衡等問(wèn)題。華瀾微已在此基礎上實(shí)現了更小面積存儲控制器上實(shí)現更大容量存儲應用，研制成功多顆存儲控制器，在全球發(fā)展了眾多用戶(hù)，產(chǎn)品得到了批量規模化應用；
二是在閃存控制器內部實(shí)現了特色的eRAID?技術(shù)，通過(guò)eRAID? 技術(shù)不僅解決了速度問(wèn)題，還解決了數據存儲可靠性問(wèn)題；此外，映射表的“復眼“保護技術(shù)，也是很好針對數據存儲高可靠性的解決方案； 三是通過(guò)全球首創(chuàng )性引入MRAM介質(zhì)，來(lái)解決多年來(lái)沒(méi)有解決的老問(wèn)題，即因為異常掉電引起的DRAM緩存數據可靠性問(wèn)題，華瀾微在MRAM介質(zhì)上的創(chuàng )新應用，徹底解決了存儲產(chǎn)品的掉電可靠性問(wèn)題和性能問(wèn)題的矛盾，為全球存儲控制器研發(fā)廠(chǎng)商打開(kāi)了解決掉電保護問(wèn)題、提高產(chǎn)品速度的另一扇門(mén)； 四是進(jìn)一步提高閃存糾錯算法技術(shù)，閃存介質(zhì)技術(shù)從原有的2D工藝發(fā)展到3D，層數堆疊越來(lái)越高，從32層發(fā)展到目前的92層，96層，128層……，從SLC到MLC、TLC、QLC、PLC……，糾錯算法也從原來(lái)的BCH發(fā)展到了LDPC，但這并不能滿(mǎn)足存儲速度的不斷發(fā)展和閃存技術(shù)發(fā)展之間帶來(lái)的矛盾，華瀾微通過(guò)研發(fā)新的糾錯算法，將更好的解決閃存糾錯問(wèn)題，突破存儲速度瓶頸； 五是通過(guò)在存儲控制器上實(shí)現主動(dòng)防衛技術(shù)和數據加解密引擎技術(shù)，在不占用主機CPU的計算和內存資源的前提下，即可實(shí)現對傳統病毒檢測和木馬侵襲的防護，防止對存儲數據的非法讀寫(xiě)，解決存儲數據泄密問(wèn)題；也可以提供基本的邊緣計算功能。 六是在存儲控制器發(fā)展中，需要在更好解決高速串行接口協(xié)議層技術(shù)方面的難題，只有從更底層去解決這一基礎問(wèn)題，存儲控制器才能發(fā)展的更好。這個(gè)方面國內一些廠(chǎng)家缺少包括接口物理層和協(xié)議層的IP積累，依賴(lài)于海外授權。華瀾微積累了全系列從USB、SATA、PCIE的IP核，可以和大家分享這些方面的成果，攜手共贏(yíng)。 駱總在總結中提到，存儲控制器技術(shù)是大數據、云存儲技術(shù)的硬科技和基礎，是徹底解決存儲卡脖子技術(shù)難題的重要環(huán)節，存儲控制器技術(shù)需要多年持之以恒的技術(shù)積累，更需要存儲產(chǎn)業(yè)界不斷的推動(dòng)和應用，華瀾微有幸被“CIO Review“評為2019年度和本年度HPC（High Performance Computing高性能計算）的國內代表企業(yè)。華瀾微希望在應用大潮中能與眾多國內外優(yōu)秀同行業(yè)一起前進(jìn)，能有更多的國內同行能夠和華瀾微并肩作戰，實(shí)現更好的中國存儲美好未來(lái)。
此外，華瀾微技術(shù)市場(chǎng)副總裁廖安仁先生作為“控制芯片閃存論壇”特邀出品人領(lǐng)銜豪華嘉賓陣容也出席了本次會(huì )議。
廖安仁副總裁作為“控制芯片閃存論壇”的特邀出品人，分別從固態(tài)存儲接口帶寬、閃存顆粒容量、應用端這三個(gè)角度闡述了閃存芯片的發(fā)展。他認為在大數據時(shí)代，因人類(lèi)需求而生的應用越來(lái)越復雜，對計算的需求越來(lái)越多，帶來(lái)存儲產(chǎn)業(yè)有無(wú)限的驅動(dòng)力和無(wú)限想象的閃存趨勢。同時(shí)他也邀請了三位全球主流的閃存控制器芯片供應商，分別從不同的技術(shù)角度，就閃存芯片的現況分析及閃存的發(fā)展趨勢預測進(jìn)行了分享，并受到現場(chǎng)網(wǎng)友的廣泛關(guān)注和認同。
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